Samsung LPDDR3 RAM 3GB

Samsung rusza z masową produkcją 3GB pamięci RAM dla smartfonów

Samsung oznajmił, że startuje z masową produkcją 3GB układów RAM, przeznaczonych dla smartfonów. Chipy są oparte o standard LPDDR3 i zbudowane w 20nm procesie technologicznym. Jeśli wierzyć danym nowy RAM jest dużo wydajniejszy, niż jego poprzednie generacje.

Samsung LPDDR3 RAM 3GB

Jaki smartfon jako pierwszy może dostać nową pamięć? Oczywiście najbardziej prawdopodobnym kandydatem jest Galaxy Note III, którego premiera powinna odbyć się we wrześniu na targach IFA 2013 w Berlinie. Young-Hyun Jun, wiceszef Samsung Electronics zdradził, że urządzenia z 3GB LPDDR3 będą dostępne w drugiej połowie tego roku. Note III pasuje tu więc jak ulał.

Co do architektury RAM’u, to składa się ona z trzech 0.5GB fragmentów, które są ułożone w stos, jeden na drugim. Grubość takiego stosu wynosi zaledwie 0.8mm, więc sporo mniej, niż stosowanych do tej pory chipów. Aby uzyskać pojemność 3GB Samsung złożył dwa takie stosy, które są połączone symetrycznymi kanałami z procesorem. Przy okazji dodam jeszcze, że zaprezentowany w tym tygodniu układ Exynos 5420 Octa dysponuje dwukanałową konfiguracją, która idealnie pasuje do nowych kości RAM.

Oczywiście cieńsze układy RAM to więcej miejsca na baterię, ale także i większa energooszczędność. Prędkości, jakie oferuje pamięć Samsunga to 2133Mbps na pin (dwa razy tyle, co w LPDDR2). Wspomniany wcześniej Young-Hyun Jun twierdzi, że 3GB pojemność pamięci RAM w przyszłym roku stanie się standardem.

Źródło: Samsung