Nowa pamięć niskiej mocy DDR4 od Samsunga – 4GB RAM w smartfonach już wkrótce?

2 lub 3 GB pamięci RAM w smartfonie to dla was mało? Przygotujcie się, że do tych mobilnych urządzeń wkrótce zawitają kości RAM o pojemności aż 4 GB. Samsung właśnie oznajmił, że stworzył pierwszy 8 gigabitowy (Gb) układ LPDDR4 o niskim poborze mocy.

Chip został wyprodukowany w 20 nm procesie technologicznym i oferuje aż 1 GB pojemności na pojedynczej płytce krzemowej. Oznacza to, że jest to pamięć DRAM, która ma w tej chwili największą gęstość ze wszystkich dostępnych na rynku. Według Samsunga nowy RAM daje jeszcze lepszą prędkość przy jednocześnie niskim poborze energii. Cztery chipy 8 Gb składają się na jeden 4 GB zespół LPDDR4, który ni mniej, ni więcej oznacza, że przyszłoroczne smartfony i tablety tego producenta mogą już mieć 4 GB RAM’u.

Co dają 8 Gb układy LPDDR4? Według producenta pozwolą m.in. na szybsze odpalanie aplikacji, wydłużą żywotność baterii oraz dadzą możliwość montowania w sprzęcie ekranów o jeszcze większych rozdzielczościach. Dzięki nowemu interfejsowi I/O Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL), możliwe stanie się przesyłanie danych z prędkością 3200 Mbps na pin. To dwukrotnie więcej, niż 20 nm chipy LPDDR3 DRAM, które są obecnie w masowej produkcji. Samsungowe kości LPDDR4 są też o 50% szybsze niż najszybsze dostępne pamięci DDR3, a przy 1.1 v napięcia używają tylko 40% energii.

Nowe pamięci mają być wykorzystywane w topowych urządzeniach, wliczając w to smartfony. Pierwsze partie LPDDR4 produkcji Samsunga będą gotowe do wysyłki już w 2014 roku.